Il primo banco di RAM DDR5 è tra noi
Il primo modulo di memoria RAM DDR5 sarebbe stato finalmente prodotto in Corea del Sud grazie alla SK Hynix, non si tratterebbe di un prototipo ma di un componente perfettamente funzionante e (almeno in teoria) pronto per la commercializzazione. I moduli DDR4 sono in circolazione dal 2013 e il mercato aspettava con ansia questa notizia.
Quando viene realizzato un modulo RAM di nuova generazione ci si attende naturalmente che quest'ultimo possa garantire performance inedite rispetto agli standard precedenti. A tal proposito, e stando alle specifiche definite dal JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), dovremmo avere come minimo una velocità compresa tra i 4.800 e i 5.600 Mbps.
Per quanto riguarda i banchi di memoria, si prevede che questi ultimi possano arrivare fino a 256 GB per esemplare. Il risparmio energetico dovrebbe essere garantito dai chip DDR5-4800 (con i quali sono stati presentati solo di recente i primi banchi da 64 GB) ma in ogni caso è difficile prevedere che moduli di questo tipo possano essere ospitati in terminali dal costo contenuto.
Le altre novità dovrebbero riguardare i canali, è infatti quasi scontato che non verrà sfruttato un unico canale a 64 bit preferendo una soluzione a doppio canale basata su architettura a 32 bit. Grazie a questo indizio è possibile ipotizzare che l'incremento delle prestazioni potrebbe essere notevole anche dal punto di vista del workload.
Così come sottolineato dai portavoce della SK Hynix, che sarebbe in procinto di eseguire i test sui moduli da 8.400 Mbps, il lancio commerciale dovrebbe avvenire entro l'anno prossimo coinvolgendo innanzitutto i segmenti Data Center e server. I test sui moduli di memoria DDR5 da 6.400 Mbps sarebbero già stati conclusi con successo.
